Toshiba 2SK N-Kanal, THT MOSFET 900 V / 5 A 150000 mW, 3-Pin TO-3P W, TO-3PN
Technische Daten
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 5 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 900 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 2,5 Ω
- Gate-Ladung typ. @ Vgs
- 28 nC @ 10 Vmm
- Gate-Schwellenspannung max.
- 4V
- Gate-Source Spannung max.
- ±30 V
- Gehäusegröße
- TO-3P W, TO-3PN
- Höhe
- 19mm
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 5 A
Drain-Source-Spannung max. = 900 V
Gehäusegröße = TO-3P W, TO-3PN
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 2,5 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Verlustleistung max. = 150000 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±30 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 28 nC @ 10 Vmm
Höhe = 19mm
MOSFET N-Kanal, Serie 2SK, Toshiba
Produktangebot
1,88 €
2,24 € inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten
Nicht vorrätig
Sichere Zahlung
Rechnung
Schneller Versand
etc.
Fragen zum Produkt?
Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059041944779
