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Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 31 A 230 W, 3-Pin TO-3PN

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Marke: Toshiba

Hersteller Artikel-Nr.: TK31J60W5,S1VQ(O

Produkt-Nr.: P-CDC2D6

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip
1mm
Channel-Modus
Enhancement
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
31 A
Drain-Source-Spannung max.
600 V
Drain-Source-Widerstand max.
99 mΩ
Gate-Schwellenspannung max.
3.7V
Gate-Source Spannung max.
-30 V, +30 V
Höhe
20mm
Montage-Typ
THT

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 31 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Serie = TK
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 99 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.7V
Verlustleistung max. = 230 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1mm
Höhe = 20mm

MOSFET N-Kanal, Serie TK3x, Toshiba

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET
GTIN
5059041832717