Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 207 A 255 W, 3-Pin TO-220

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip

1mm

Channel-Modus

Enhancement

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

207 A

Drain-Source-Spannung max.

100 V

Drain-Source-Widerstand max.

3,4 mΩ

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Höhe

15.1mm

Montage-Typ

THT