Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 900 V / 9 A 250 W, 3-Pin TO-3PN
Technische Daten
- Anzahl der Elemente pro Chip
- 1mm
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 9 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 900 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 1,3 Ω
- Gate-Schwellenspannung max.
- 4V
- Gate-Source Spannung max.
- -30 V, +30 V
- Höhe
- 20mm
- Montage-Typ
- THT
Produktbeschreibung
MOSFET-N-Kanal, TK8- und TK9-Serie, Toshiba
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059041150804
