Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 15,8 A 130 W, 3-Pin TO-3PN

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip

1mm

Channel-Modus

Enhancement

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

15,8 A

Diodendurchschlagsspannung

1.7V

Drain-Source-Spannung max.

600 V

Drain-Source-Widerstand max.

190 mΩ

Gate-Schwellenspannung max.

3.7V

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Montage-Typ

THT