Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 80 V / 214 A 255 W, 3-Pin TO-220

Technische Daten

Channel-Modus

Enhancement

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

214 A

Drain-Source-Spannung max.

80 V

Drain-Source-Widerstand max.

3,2 mΩ

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Gehäusegröße

TO-220

Höhe

15.1mm

Montage-Typ

THT