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Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 11,5 A 110 W, 3-Pin TO-3PN

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Marke: Toshiba

Hersteller Artikel-Nr.: TK12J60W,S1VQ(O

Produkt-Nr.: P-CC7VTN

Technische Daten

Breite
4.5mm
Channel-Modus
Enhancement
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
11,5 A
Drain-Source-Spannung max.
600 V
Drain-Source-Widerstand max.
300 mΩ
Gate-Schwellenspannung max.
3.7V
Gate-Source Spannung max.
-30 V, +30 V
Höhe
20mm
Montage-Typ
THT

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 11,5 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Serie = TK
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 300 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.7V
Verlustleistung max. = 110 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Breite = 4.5mm
Diodendurchschlagsspannung = 1.7V

MOSFET N-Kanal, Serie TK1x, Toshiba

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET
GTIN
5059041610162