Renesas Electronics 2SK1317 N-Kanal MOSFET Transistor 1500 V / 7 A, 3-Pin SC-65
Technische Daten
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 7 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 1500 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 12 Ω
- Gate-Schwellenspannung max.
- 4V
- Gehäusegröße
- SC-65
- Pinanzahl
- 3
- Transistor-Werkstoff
- Si
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 7 A
Drain-Source-Spannung max. = 1500 V
Gehäusegröße = SC-65
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 12 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Transistor-Werkstoff = Si
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
