IXYS HiperFET N-Kanal, Schraub MOSFET 850 V / 110 A 1,17 kW, 4-Pin SOT-227

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

–55 °CV

Breite

25.07mm

Channel-Modus

Enhancement

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

110 A

Drain-Source-Spannung max.

850 V

Drain-Source-Widerstand max.

33 mΩ

Gate-Schwellenspannung max.

5.5V

Gate-Schwellenspannung min.

3.5V

Gate-Source Spannung max.

±30 V