IXYS HiperFET N-Kanal, Schraub MOSFET 850 V / 110 A 1,17 kW, 4-Pin SOT-227
Technische Daten
- Betriebstemperatur max.
- +150 °Cmm
- Betriebstemperatur min.
- –55 °CV
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 110 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 850 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 33 mΩ
- Gate-Schwellenspannung max.
- 5.5V
- Gate-Schwellenspannung min.
- 3.5V
- Gate-Source Spannung max.
- ±30 V
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 110 A
Drain-Source-Spannung max. = 850 V
Serie = HiperFET
Montage-Typ = Schraubmontage
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 33 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 3.5V
Verlustleistung max. = 1,17 kW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±30 V
Betriebstemperatur max. = +150 °Cmm
Betriebstemperatur min. = –55 °CV
Produktangebot
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Lieferzeit ca. 2 TageZustand: Neu
Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059041643306