STMicroelectronics SCT N-Kanal, THT MOSFET-Modul 1200 V / 65 A, 3-Pin HiP247

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Channel-Modus

Depletion

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

65 A

Drain-Source-Spannung max.

1200 V

Drain-Source-Widerstand max.

0,59 Ω

Gate-Schwellenspannung max.

3V

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Serie

SCT