STMicroelectronics SCTH90 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 116 A, 7-Pin H2PAK-7

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Channel-Modus

Enhancement

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

116 A

Drain-Source-Spannung max.

650 V

Drain-Source-Widerstand max.

0,024 Ω

Gate-Schwellenspannung max.

5V

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

7

Serie

SCTH90