STMicroelectronics SCTW70N N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 91 A, 3-Pin HiP247

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Channel-Modus

Enhancement

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

91 A

Drain-Source-Spannung max.

1200 V

Drain-Source-Widerstand max.

0,021 Ω

Gate-Schwellenspannung max.

4.9V

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Serie

SCTW70N