onsemi PowerTrench N-Kanal, THT MOSFET 75 V / 80 A 450 W, 3-Pin TO-247
Technische Daten
- Anzahl der Elemente pro Chip
- 1mm
- Betriebstemperatur min.
- -55 °CV
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 80 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 75 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 8 mΩ
- Gate-Schwellenspannung min.
- 2V
- Gate-Source Spannung max.
- -20 V, +20 V
- Montage-Typ
- THT
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 80 A
Drain-Source-Spannung max. = 75 V
Serie = PowerTrench
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 8 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 450 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1mm
Betriebstemperatur min. = -55 °CV
PowerTrench® N-Kanal-MOSFET, über 60 A, Fairchild Semiconductor
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059042501285
