onsemi N-Kanal, THT MOSFET 900 V / 116 A, 4-Pin TO-247-4L

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Channel-Modus

Enhancement

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

116 A

Drain-Source-Spannung max.

900 V

Gehäusegröße

TO-247-4L

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

4