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onsemi PowerTrench N-Kanal, THT MOSFET 150 V / 8 A 310 W, 3-Pin TO-220AB

Marke: onsemi

Hersteller Artikel-Nr.: FDP2532

Produkt-Nr.: P-CC5B8C

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-55 °Cmm
Channel-Modus
Enhancement
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
8 A
Drain-Source-Spannung max.
150 V
Drain-Source-Widerstand max.
16 mΩ
Gate-Ladung typ. @ Vgs
82 nC @ 10 Vmm
Gate-Schwellenspannung min.
2V
Gate-Source Spannung max.
-20 V, +20 V
Montage-Typ
THT

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 8 A
Drain-Source-Spannung max. = 150 V
Gehäusegröße = TO-220AB
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 16 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 310 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Betriebstemperatur max. = +175 °Cmm
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm

N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, bis zu 9,9 A, Fairchild Semiconductor

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET
GTIN
5059042842807