onsemi PowerTrench N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 75 A 208 W, 3-Pin TO-220

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip

1mm

Channel-Modus

Enhancement

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

75 A

Drain-Source-Spannung max.

100 V

Drain-Source-Widerstand max.

9 mΩ

Gate-Schwellenspannung min.

2.5V

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Gehäusegröße

TO-220

Höhe

16.51mm