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onsemi PowerTrench N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 214 A 333 W, 3-Pin TO-220AB

Marke: onsemi

Hersteller Artikel-Nr.: FDP036N10A

Produkt-Nr.: P-CC65H7

Technische Daten

Betriebstemperatur max.
+175 °Cmm
Channel-Modus
Enhancement
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
214 A
Drain-Source-Spannung max.
100 V
Drain-Source-Widerstand max.
3,6 mΩ
Gate-Schwellenspannung min.
2V
Gate-Source Spannung max.
-20 V, +20 V
Höhe
9.4mm
Montage-Typ
THT

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 214 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Serie = PowerTrench
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 3,6 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 333 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Transistor-Werkstoff = Simm
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm

PowerTrench® N-Kanal-MOSFET, über 60 A, Fairchild Semiconductor

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET
GTIN
5059042810301