onsemi PowerTrench N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 120 A, 265 A 395 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
Technische Daten
- Anzahl der Elemente pro Chip
- 1mm
- Betriebstemperatur min.
- -55 °Cmm
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 120 A, 265 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 60 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 2,4 mΩ
- Gate-Schwellenspannung min.
- 2.5V
- Gate-Source Spannung max.
- -20 V, +20 V
- Montage-Typ
- SMD
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 120 A, 265 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Serie = PowerTrench
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 2,4 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2.5V
Verlustleistung max. = 395 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1mm
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm
PowerTrench® N-Kanal-MOSFET, über 60 A, Fairchild Semiconductor
Produktangebot
3,98 €
4,74 € inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten
Nicht vorrätig
Sichere Zahlung
Rechnung
Schneller Versand
etc.
Fragen zum Produkt?
Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059042654769
