Wolfspeed N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 115 A 556 W, 4-Pin TO-247-4

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 115 A
Drain-Source-Spannung max. = 1200 V
Gehäusegröße = TO-247-4
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 16 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.6V
Gate-Schwellenspannung min. = 1.8V
Verlustleistung max. = 556 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -8 V, 19 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1mm
Betriebstemperatur min. = –40 °Cmm

Branchenweit führender 16 mΩ RDS(on) 1200 V VBR (Minimum) über den gesamten Betriebstemperaturbereich [-40 °C - 175 °C] +15 V Gate-Ansteuerspannung Niederohmiges Gehäuse mit Kelvin-Quellstift >8 mm Kriechstrecke/Abstand zwischen Ablass und Quelle Hohe Schaltgeschwindigkeit mit niedriger Ausgangskapazität Schnelle intrinsische Diode mit niedriger Rückkehrwiederherstellung (Qrr) Einfach zu parallelisieren und einfach zu anzutreiben Anwendungen Solar- und Energiespeichersysteme Laden von Elektrofahrzeugen Unterbrechungsfreie Stromversorgung (USV) Motorsteuerung und Antriebe Schaltnetzteile (SMPS)