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ROHM N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 93 A 262 W, 3-Pin TO-247N

Marke: ROHM

Hersteller Artikel-Nr.: SCT3022ALGC11

Produkt-Nr.: P-CC87PJ

Technische Daten

Channel-Modus
Enhancement
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
93 A
Drain-Source-Spannung max.
650 V
Drain-Source-Widerstand max.
29 mΩ
Gate-Ladung typ. @ Vgs
133 nC @ 18 Vmm
Gate-Schwellenspannung max.
5.6V
Gate-Schwellenspannung min.
2.7V
Gate-Source Spannung max.
22 V
Gehäusegröße
TO-247N

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 93 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Gehäusegröße = TO-247N
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 29 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5.6V
Gate-Schwellenspannung min. = 2.7V
Verlustleistung max. = 262 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = 22 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 133 nC @ 18 Vmm
Höhe = 21mm

Geringer Einschaltwiderstand, schnelle Schaltgeschwindigkeit, schnelle Rückwärtswiederherstellung. Einfach zu parallelisieren, einfach zu anzutreiben, bleifrei beschichtet, RoHS-konform

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET
GTIN
5059043628608