Wolfspeed C3M N-Kanal, THT MOSFET 1000 V / 35 A 113,5 W, 4-Pin TO-247-4

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 35 A
Drain-Source-Spannung max. = 1000 V
Serie = C3M
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 90 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 1.8V
Verlustleistung max. = 113,5 W
Gate-Source Spannung max. = –8 V, +19 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1mm
Betriebstemperatur min. = –55 °CV

Leistungs-MOSFET aus Siliziumkarbid der C3M-Serie von Cree Inc. MOSFET mit neuer C3M-Siliziumkarbid-Technologie (SiC) Mindestens 1000 V Drain-Source-Durchschlagsspannung im gesamten Betriebstemperaturbereich Neues Gehäuse mit niedriger Impedanz und Treiberquelle Kriechstrecke/Abstand zwischen Drain und Source: 8 mm Hohe Schaltgeschwindigkeit mit niedriger Ausgangskapazität Hohe Blockierspannung bei niedrigem Drain-Source-Durchlasswiderstand Widerstandsfähigkeit gegen Stoßentladungen Schnelle intrinsische Diode mit geringer Sperrverzögerung