STMicroelectronics SiC MOSFET N-Kanal, SMD MOSFET 1200 V / 20 A, 3-Pin H2PAK-2

Name: STMicroelectronics SiC MOSFET N-Kanal, SMD MOSFET 1200 V / 20 A, 3-Pin H2PAK-2
Brand: STMICROELECTRONICS

Marke: STMICROELECTRONICS

Hersteller Artikel-Nr.: SCT20N120H

Produkt-Nr.: P-CC7MZB

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip: 1
Channel-Modus: Enhancement
Channel-Typ: N
Dauer-Drainstrom max.: 20 A
Drain-Source-Spannung max.: 1200 V
Drain-Source-Widerstand max.: 0,203 Ω
Gate-Schwellenspannung max.: 239V
Montage-Typ: SMD
Pinanzahl: 3
Serie: SiC MOSFET

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 20 A
Drain-Source-Spannung max. = 1200 V
Serie = SiC MOSFET
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,203 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 239V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1