STMicroelectronics SiC MOSFET N-Kanal, SMD MOSFET 1200 V / 20 A, 3-Pin H2PAK-2

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 20 A
Drain-Source-Spannung max. = 1200 V
Serie = SiC MOSFET
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,203 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 239V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1

Der STMicroelectronics Siliziumkarbid Power MOSFET wird unter Ausnutzung der Advanced, innovativen Eigenschaften von Materialien mit großem Bandspalt hergestellt. Das SiC-Material hat hervorragende thermische Eigenschaften.Sehr enge Variation des Einschaltwiderstands vs Temperatur Sehr hohe Betriebstemperatur der Schaltstelle Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode Niedrige Kapazität