STMicroelectronics SCTWA40N120G2V-4 N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 45 A, 4-Pin HiP247-4
Technische Daten
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 45 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 1200 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 0,07 Ω
- Montage-Typ
- THT
- Pinanzahl
- 4
- Serie
- SCTWA40N120G2V-4
- Transistor-Werkstoff
- SiC
Produktbeschreibung
Dauer-Drainstrom max. = 45 A
Drain-Source-Widerstand max. = 0,07 Ω
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
