STMicroelectronics SCTWA40N120G2V-4 N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 45 A, 4-Pin HiP247-4

Dauer-Drainstrom max. = 45 A
Drain-Source-Widerstand max. = 0,07 Ω

SiC MOSFETDer STMicroelectronics 650 V, 55 mΩ SCTH35N65G2V-7 STPOWER SiC MOSFET mit einem Trench Field Stop (TFS) IGBT mit der gleichen Nennspannung und einem äquivalenten Betriebswiderstand. Der STPOWER SiC MOSFET zeigt deutlich reduzierte Schaltverluste, selbst bei hohen Temperaturen. Dies ermöglicht es dem Entwickler, mit sehr hohen Schaltfrequenzen zu arbeiten, wodurch die Größe passiver Komponenten für kleinere Formfaktoren reduziert wird.Sehr niedrige Schaltverluste Geringe Leistungsverluste bei hohen Temperaturen Höhere Betriebstemperatur (bis zu 200 °C) Gehäusediode ohne Rückgewinnungsverluste Leicht zu fahren