STMicroelectronics SCTWA35N65G2V N-Kanal, THT SiC-Leistungsmodul 650 V / 45 A, 3-Pin Hip247
Technische Daten
- Anzahl der Elemente pro Chip
- 1
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 45 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 650 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 0,072 Ω
- Gate-Schwellenspannung max.
- 3.2V
- Montage-Typ
- THT
- Pinanzahl
- 3
- Serie
- SCTWA35N65G2V
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 45 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Serie = SCTWA35N65G2V
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,072 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.2V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
