STMicroelectronics SCTWA35N65G2V N-Kanal, THT SiC-Leistungsmodul 650 V / 45 A, 3-Pin Hip247
Technische Daten
- Anzahl der Elemente pro Chip
- 1
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 45 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 650 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 0,072 Ω
- Gate-Schwellenspannung max.
- 3.2V
- Montage-Typ
- THT
- Pinanzahl
- 3
- Serie
- SCTWA35N65G2V
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 45 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Serie = SCTWA35N65G2V
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,072 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.2V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Der STMicroelectronics Siliziumkarbid Power MOSFET wurde mit der Advanced und innovativen SiC MOSFET-Technologie der 2. Generation von ST entwickelt. Das Gerät zeichnet sich durch einen bemerkenswert niedrigen Betriebswiderstand pro Gerätebereich und eine sehr gute Schaltleistung aus. Die Variation von Einschaltwiderstand und Schaltverlusten ist nahezu unabhängig von der Sperrschichttemperatur.Niedrige Kapazität Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode Sehr enge Variation des Einschaltwiderstands vs Temperatur
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
