STMicroelectronics SCTH90 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 116 A, 7-Pin H2PAK-7

Name: STMicroelectronics SCTH90 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 116 A, 7-Pin H2PAK-7
Brand: STMICROELECTRONICS

Marke: STMICROELECTRONICS

Hersteller Artikel-Nr.: SCTH90N65G2V-7

Produkt-Nr.: P-CCZ3JW

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip: 1
Channel-Modus: Enhancement
Channel-Typ: N
Dauer-Drainstrom max.: 116 A
Drain-Source-Spannung max.: 650 V
Drain-Source-Widerstand max.: 0,024 Ω
Gate-Schwellenspannung max.: 5V
Montage-Typ: SMD
Pinanzahl: 7
Serie: SCTH90

Produktbeschreibung

Der STMicroelectronics 650-V-Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET hat einen Nennstrom von 116 A und einen Ablass-/Quellenwiderstand von 18 m Ohm. Er verfügt über einen niedrigen Betriebswiderstand pro Gerätebereich und eine sehr gute Schaltleistung. Die Variation des Schaltverlustes ist nahezu unabhängig von der Sperrschichttemperatur.Sehr hohe Betriebstemperatur der Schaltstelle (TJ = 175 °C) Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode Extrem niedrige Gate-Ladung und Eingangskapazitäten