Renesas Electronics HFA3101BZ SMD, NPN Transistor Hex 8 V / 30 mA 10000 MHz, SOIC 8-Pin
Technische Daten
- Anzahl der Elemente pro Chip
- 6
- Arbeitsfrequenz max.
- 10000 MHz
- Basis-Emitter Spannung max.
- 5,5 V
- Betriebstemperatur max.
- +85 °Cmm
- DC Kollektorstrom max.
- 30 mA
- Gehäusegröße
- SOIC
- Kollektor-Basis-Spannung max.
- 12 V
- Kollektor-Emitter-Spannung
- 8 V
- Montage-Typ
- SMD
- Pinanzahl
- 8
Produktbeschreibung
Transistor-Typ = NPN
DC Kollektorstrom max. = 30 mA
Kollektor-Emitter-Spannung = 8 V
Gehäusegröße = SOIC
Montage-Typ = SMD
Transistor-Konfiguration = Komplex
Kollektor-Basis-Spannung max. = 12 V
Basis-Emitter Spannung max. = 5,5 V
Arbeitsfrequenz max. = 10000 MHz
Pinanzahl = 8
Anzahl der Elemente pro Chip = 6
Betriebstemperatur max. = +85 °Cmm
Gilbertzellen-UHF-Transistorarrays, Intersil
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- Bipolare Transistoren
- GTIN
- 5059041280501
