Renesas Electronics NPN Darlington-Transistor 80 V 4 A HFE:750, SOT-32 3-Pin Einfach

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Basis-Emitter Spannung max.

5 V

Betriebstemperatur max.

+150 °Cmm

Dauer-Kollektorstrom max.

4 A

Gehäusegröße

SOT-32

Gleichstromverstärkung min.

750

Kollektor-Abschaltstrom max.

0.2mA

Kollektor-Basis-Spannung max.

80 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.

2,5 V

Kollektor-Emitter-Spannung

80 V