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Renesas Electronics NPN Darlington-Transistor 80 V 4 A HFE:750, SOT-32 3-Pin Einfach

Marke: Renesas Electronics

Hersteller Artikel-Nr.: BD679

Produkt-Nr.: P-CC524G

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip
1
Basis-Emitter Spannung max.
5 V
Betriebstemperatur min.
-65 °Cmm
Dauer-Kollektorstrom max.
4 A
Gehäusegröße
SOT-32
Gleichstromverstärkung min.
750
Kollektor-Abschaltstrom max.
0.2mA
Kollektor-Basis-Spannung max.
80 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
2,5 V
Kollektor-Emitter-Spannung
80 V

Produktbeschreibung

Transistor-Typ = NPN
Dauer-Kollektorstrom max. = 4 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 80 V
Basis-Emitter Spannung max. = 5 V
Gehäusegröße = SOT-32
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Transistor-Konfiguration = Einfach
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Gleichstromverstärkung min. = 750
Kollektor-Basis-Spannung max. = 80 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. = 2,5 V
Kollektor-Abschaltstrom max. = 0.2mA
Betriebstemperatur min. = -65 °Cmm

NPN-Darlington-Transistoren, STMicroelectronics

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Lieferzeit ca. 1 TageZustand: Neu

Kennzeichnungen

Artikeltyp
Darlington Transistoren
GTIN
5059045897040