Renesas Electronics HFA3127BZ SMD, NPN Transistor Pent 8 V / 65 mA 8000 MHz, SOIC 16-Pin
Technische Daten
- Abmessungen
- 1.5 x 10 x 4mm
- Anzahl der Elemente pro Chip
- 5
- Arbeitsfrequenz max.
- 8000 MHz
- Basis-Emitter Spannung max.
- 5,5 V
- DC Kollektorstrom max.
- 65 mA
- Gehäusegröße
- SOIC
- Kollektor-Basis-Spannung max.
- 12 V
- Kollektor-Emitter-Spannung
- 8 V
- Montage-Typ
- SMD
- Pinanzahl
- 16
Produktbeschreibung
Transistor-Typ = NPN
DC Kollektorstrom max. = 65 mA
Kollektor-Emitter-Spannung = 8 V
Gehäusegröße = SOIC
Montage-Typ = SMD
Verlustleistung max. = 150 mW
Transistor-Konfiguration = Isoliert
Kollektor-Basis-Spannung max. = 12 V
Basis-Emitter Spannung max. = 5,5 V
Arbeitsfrequenz max. = 8000 MHz
Pinanzahl = 16
Anzahl der Elemente pro Chip = 5
Abmessungen = 1.5 x 10 x 4mm
Transistorarrays, Intersil. Vollständige Isolierung zwischen Transistoren
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- Bipolare Transistoren
- GTIN
- 5059041370837
