onsemi UltraFET N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 75 A 515 W, 3-Pin TO-247

Name: onsemi UltraFET N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 75 A 515 W, 3-Pin TO-247
Brand: onsemi

Marke: onsemi

Hersteller Artikel-Nr.: HUF75652G3

Produkt-Nr.: P-CDBN7F

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55 °Cmm
Breite: 4.82mm
Channel-Modus: Enhancement
Channel-Typ: N
Dauer-Drainstrom max.: 75 A
Drain-Source-Spannung max.: 100 V
Drain-Source-Widerstand max.: 8 mΩ
Gate-Schwellenspannung min.: 2V
Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V
Gehäusegröße: TO-247

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 75 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 8 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 515 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Breite = 4.82mm
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm

MOSFET UltraFET®, Fairchild Semiconductor. UltraFET® Trench-MOSFETs kombinieren Eigenschaften, die eine richtungsweisende Effizienz in der Leistungsumwandlung ermöglichen. Das Gerät hält im Stoßentladungsmodus einer hohen Energielast stand, und die Diode zeichnet sich durch eine sehr niedrige Umkehr-Erholzeit und gespeicherte Ladung aus. Optimiert für Effizienz bei hohen Frequenzen, niedrigste RDS(ein), niedriger ESR und niedrige Gesamt- und Miller-Gate-Ladung. Anwendungen: DC/DC-Hochfrequenzwandler , Schaltregler, Motorantriebe, Niedrigspannungs-Busschalter und Stromüberwachung.