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onsemi UltraFET N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 75 A 515 W, 3-Pin TO-247

Marke: onsemi

Hersteller Artikel-Nr.: HUF75652G3

Produkt-Nr.: P-CDBN7D

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-55 °Cmm
Channel-Modus
Enhancement
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
75 A
Drain-Source-Spannung max.
100 V
Drain-Source-Widerstand max.
8 mΩ
Gate-Schwellenspannung min.
2V
Gate-Source Spannung max.
-20 V, +20 V
Montage-Typ
THT
Pinanzahl
3

Produktbeschreibung

MOSFET UltraFET®, Fairchild Semiconductor. UltraFET® Trench-MOSFETs kombinieren Eigenschaften, die eine richtungsweisende Effizienz in der Leistungsumwandlung ermöglichen. Das Gerät hält im Stoßentladungsmodus einer hohen Energielast stand, und die Diode zeichnet sich durch eine sehr niedrige Umkehr-Erholzeit und gespeicherte Ladung aus. Optimiert für Effizienz bei hohen Frequenzen, niedrigste RDS(ein), niedriger ESR und niedrige Gesamt- und Miller-Gate-Ladung. Anwendungen: DC/DC-Hochfrequenzwandler , Schaltregler, Motorantriebe, Niedrigspannungs-Busschalter und Stromüberwachung.

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET
GTIN
5059042180602