onsemi UltraFET N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 14 A 78 W, 8-Pin PQFN8
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55 °Cmm
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 14 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 250 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 258 mΩ
- Gate-Schwellenspannung min.
- 2V
- Gate-Source Spannung max.
- -20 V, +20 V
- Montage-Typ
- SMD
- Pinanzahl
- 8
Produktbeschreibung
Drain-Source-Widerstand max. = 258 mΩ
MOSFET UltraFET®, Fairchild Semiconductor. UltraFET® Trench-MOSFETs kombinieren Eigenschaften, die eine richtungsweisende Effizienz in der Leistungsumwandlung ermöglichen. Das Gerät hält im Stoßentladungsmodus einer hohen Energielast stand, und die Diode zeichnet sich durch eine sehr niedrige Umkehr-Erholzeit und gespeicherte Ladung aus. Optimiert für Effizienz bei hohen Frequenzen, niedrigste RDS(ein), niedriger ESR und niedrige Gesamt- und Miller-Gate-Ladung. Anwendungen: DC/DC-Hochfrequenzwandler , Schaltregler, Motorantriebe, Niedrigspannungs-Busschalter und Stromüberwachung.
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059042915266