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onsemi UltraFET N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 14 A 78 W, 8-Pin PQFN8

Marke: onsemi

Hersteller Artikel-Nr.: FDMS2734

Produkt-Nr.: P-CDCW36

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-55 °Cmm
Channel-Modus
Enhancement
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
14 A
Drain-Source-Spannung max.
250 V
Drain-Source-Widerstand max.
258 mΩ
Gate-Schwellenspannung min.
2V
Gate-Source Spannung max.
-20 V, +20 V
Montage-Typ
SMD
Pinanzahl
8

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 14 A
Drain-Source-Spannung max. = 250 V
Serie = UltraFET
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 258 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 78 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Transistor-Werkstoff = Simm
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm

MOSFET UltraFET®, Fairchild Semiconductor. UltraFET® Trench-MOSFETs kombinieren Eigenschaften, die eine richtungsweisende Effizienz in der Leistungsumwandlung ermöglichen. Das Gerät hält im Stoßentladungsmodus einer hohen Energielast stand, und die Diode zeichnet sich durch eine sehr niedrige Umkehr-Erholzeit und gespeicherte Ladung aus. Optimiert für Effizienz bei hohen Frequenzen, niedrigste RDS(ein), niedriger ESR und niedrige Gesamt- und Miller-Gate-Ladung. Anwendungen: DC/DC-Hochfrequenzwandler , Schaltregler, Motorantriebe, Niedrigspannungs-Busschalter und Stromüberwachung.

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET
GTIN
5059042915259