onsemi UltraFET N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 20 A 78 W, 8-Pin PQFN8

Name: onsemi UltraFET N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 20 A 78 W, 8-Pin PQFN8
Brand: onsemi

Marke: onsemi

Hersteller Artikel-Nr.: FDMS2672

Produkt-Nr.: P-CDCW35

Technische Daten

Channel-Modus: Enhancement
Channel-Typ: N
Dauer-Drainstrom max.: 20 A
Drain-Source-Spannung max.: 200 V
Drain-Source-Widerstand max.: 156 mΩ
Gate-Ladung typ. @ Vgs: 30 nC @ 10 Vmm
Gate-Schwellenspannung min.: 2V
Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V
Höhe: 0.75mm
Montage-Typ: SMD

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 20 A
Drain-Source-Spannung max. = 200 V
Serie = UltraFET
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 156 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 78 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 30 nC @ 10 Vmm
Höhe = 0.75mm

MOSFET UltraFET®, Fairchild Semiconductor. UltraFET® Trench-MOSFETs kombinieren Eigenschaften, die eine richtungsweisende Effizienz in der Leistungsumwandlung ermöglichen. Das Gerät hält im Stoßentladungsmodus einer hohen Energielast stand, und die Diode zeichnet sich durch eine sehr niedrige Umkehr-Erholzeit und gespeicherte Ladung aus. Optimiert für Effizienz bei hohen Frequenzen, niedrigste RDS(ein), niedriger ESR und niedrige Gesamt- und Miller-Gate-Ladung. Anwendungen: DC/DC-Hochfrequenzwandler , Schaltregler, Motorantriebe, Niedrigspannungs-Busschalter und Stromüberwachung.