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onsemi UltraFET N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 20 A 78 W, 8-Pin PQFN8

Marke: onsemi

Hersteller Artikel-Nr.: FDMS2672

Produkt-Nr.: P-CDCW34

Technische Daten

Channel-Modus
Enhancement
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
20 A
Drain-Source-Spannung max.
200 V
Drain-Source-Widerstand max.
156 mΩ
Gate-Ladung typ. @ Vgs
30 nC @ 10 Vmm
Gate-Schwellenspannung min.
2V
Gate-Source Spannung max.
-20 V, +20 V
Gehäusegröße
PQFN8
Höhe
0.75mm

Produktbeschreibung

MOSFET UltraFET®, Fairchild Semiconductor. UltraFET® Trench-MOSFETs kombinieren Eigenschaften, die eine richtungsweisende Effizienz in der Leistungsumwandlung ermöglichen. Das Gerät hält im Stoßentladungsmodus einer hohen Energielast stand, und die Diode zeichnet sich durch eine sehr niedrige Umkehr-Erholzeit und gespeicherte Ladung aus. Optimiert für Effizienz bei hohen Frequenzen, niedrigste RDS(ein), niedriger ESR und niedrige Gesamt- und Miller-Gate-Ladung. Anwendungen: DC/DC-Hochfrequenzwandler , Schaltregler, Motorantriebe, Niedrigspannungs-Busschalter und Stromüberwachung.

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET
GTIN
5059042878639