onsemi SiC Power N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 46 A, 4-Pin TO-247-4
Technische Daten
- Anzahl der Elemente pro Chip
- 1
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 46 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 650 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 0,084 Ω
- Gate-Schwellenspannung max.
- 4.3V
- Montage-Typ
- THT
- Pinanzahl
- 4
- Serie
- SiC Power
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 46 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Serie = SiC Power
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 0,084 Ω
Gate-Schwellenspannung max. = 4.3V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
