onsemi SiC Power N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 46 A, 4-Pin TO-247-4
Technische Daten
- Anzahl der Elemente pro Chip
- 1
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 46 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 650 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 0,084 Ω
- Gate-Schwellenspannung max.
- 4.3V
- Montage-Typ
- THT
- Pinanzahl
- 4
- Serie
- SiC Power
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 46 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Serie = SiC Power
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 0,084 Ω
Gate-Schwellenspannung max. = 4.3V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
The ON Semiconductor SiC Power series MOSFET uses a completely new technology that provide superior switching performance and higher reliability compared to silicon. In addition, the low ON resistance and compact chip size ensure low capacitance and gate charge.Highest efficiency Faster operation frequency Increased power density Reduced EMI Reduced system size
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
