onsemi PowerTrench N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 62 A 260 W, 3-Pin TO-220

Name: onsemi PowerTrench N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 62 A 260 W, 3-Pin TO-220
Brand: onsemi

Marke: onsemi

Hersteller Artikel-Nr.: FDP2614

Produkt-Nr.: P-CC26BC

Technische Daten

Channel-Modus: Enhancement
Channel-Typ: N
Dauer-Drainstrom max.: 62 A
Drain-Source-Spannung max.: 200 V
Drain-Source-Widerstand max.: 27 mΩ
Gate-Schwellenspannung min.: 3V
Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V
Höhe: 16.51mm
Länge: 10.67mm
Montage-Typ: THT

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 62 A
Drain-Source-Spannung max. = 200 V
Serie = PowerTrench
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 27 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 260 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1mm
Höhe = 16.51mm

PowerTrench® N-Kanal-MOSFET, über 60 A, Fairchild Semiconductor