onsemi PowerTrench N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 62 A 260 W, 3-Pin TO-220
Marke: onsemi
Hersteller Artikel-Nr.: FDP2614
Produkt-Nr.: P-CC26BB
Technische Daten
- Breite
- 4.83mm
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 62 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 200 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 27 mΩ
- Gate-Schwellenspannung min.
- 3V
- Gate-Source Spannung max.
- -30 V, +30 V
- Höhe
- 16.51mm
- Montage-Typ
- THT
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 62 A
Drain-Source-Spannung max. = 200 V
Serie = PowerTrench
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 27 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 260 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Breite = 4.83mm
Höhe = 16.51mm
PowerTrench® N-Kanal-MOSFET, über 60 A, Fairchild Semiconductor
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059042631890
