onsemi PowerTrench N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 75 A 208 W, 3-Pin TO-220
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55 °Cmm
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 75 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 100 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 9 mΩ
- Gate-Schwellenspannung min.
- 2.5V
- Gate-Source Spannung max.
- -20 V, +20 V
- Montage-Typ
- THT
- Pinanzahl
- 3
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 75 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Serie = PowerTrench
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 9 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2.5V
Verlustleistung max. = 208 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Transistor-Werkstoff = Simm
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm
PowerTrench® N-Kanal-MOSFET, über 60 A, Fairchild Semiconductor
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059042878288
