onsemi NVH N-Kanal, THT MOSFET Transistor 1200 V / 102 A, 4-Pin TO-247-4
Technische Daten
- Anzahl der Elemente pro Chip
- 1
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 102 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 1200 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 0,028 Ω
- Gate-Schwellenspannung max.
- 4.3V
- Montage-Typ
- THT
- Pinanzahl
- 4
- Serie
- NVH
Produktbeschreibung
MOSFET
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
