onsemi NVH N-Kanal, THT MOSFET Transistor 1200 V / 102 A, 4-Pin TO-247-4
Technische Daten
- Anzahl der Elemente pro Chip
- 1
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 102 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 1200 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 0,028 Ω
- Gate-Schwellenspannung max.
- 4.3V
- Montage-Typ
- THT
- Pinanzahl
- 4
- Serie
- NVH
Produktbeschreibung
Der on Semiconductor Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET läuft mit 102 Ampere und 1200 Volt. Er kann in Kfz-Ladegeräten, DC- oder DC-Wandleranwendungen verwendet werden.AEC Q101-zertifiziert Produktionsteil-Genehmigungsprozess möglich 100%ig auf Stoßentladung geprüft Niedrige effektive Ausgangskapazität
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
