onsemi NTH4LN019N N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 75 A, 4-Pin TO-247-4

Technische Daten

Channel-Modus

Enhancement

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

75 A

Drain-Source-Spannung max.

650 V

Drain-Source-Widerstand max.

0,0193 Ω

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

4

Serie

NTH4LN019N

Transistor-Werkstoff

Si