onsemi NTH4LN019N N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 75 A, 4-Pin TO-247-4

Name: onsemi NTH4LN019N N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 75 A, 4-Pin TO-247-4
Brand: onsemi

Marke: onsemi

Hersteller Artikel-Nr.: NTH4LN019N65S3H

Produkt-Nr.: P-CC2CJT

Technische Daten

Channel-Modus: Enhancement
Channel-Typ: N
Dauer-Drainstrom max.: 75 A
Drain-Source-Spannung max.: 650 V
Drain-Source-Widerstand max.: 0,0193 Ω
Gate-Schwellenspannung max.: 4V
Montage-Typ: THT
Pinanzahl: 4
Serie: NTH4LN019N
Transistor-Werkstoff: Si

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 75 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Serie = NTH4LN019N
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 0,0193 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Transistor-Werkstoff = Si

Der on Semiconductor SuperFET III MOSFET verfügt über eine Hochspannungs-Super-Junction (SJ)-MOSFET-Familie, die Ladungsausgleichstechnologie für einen hervorragenden niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand und eine geringere Gate-Ladungsleistung nutzt. Diese Advanced Technology ist auf die Minimierung von Leitungsverlusten ausgelegt, bietet eine überlegene Schaltleistung und hält extremen dv/dt-Rate stand.Extrem niedrige Gate-Ladung Niedrige effektive Ausgangskapazität: 2495 pF 100%ig auf Stoßentladung geprüft