onsemi NTH4LN019N N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 75 A, 4-Pin TO-247-4
Technische Daten
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 75 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 650 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 0,0193 Ω
- Gate-Schwellenspannung max.
- 4V
- Montage-Typ
- THT
- Pinanzahl
- 4
- Serie
- NTH4LN019N
- Transistor-Werkstoff
- Si
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 75 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Serie = NTH4LN019N
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 0,0193 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Transistor-Werkstoff = Si
Der on Semiconductor SuperFET III MOSFET verfügt über eine Hochspannungs-Super-Junction (SJ)-MOSFET-Familie, die Ladungsausgleichstechnologie für einen hervorragenden niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand und eine geringere Gate-Ladungsleistung nutzt. Diese Advanced Technology ist auf die Minimierung von Leitungsverlusten ausgelegt, bietet eine überlegene Schaltleistung und hält extremen dv/dt-Rate stand.Extrem niedrige Gate-Ladung Niedrige effektive Ausgangskapazität: 2495 pF 100%ig auf Stoßentladung geprüft
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
