onsemi NTH027N65S3F N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 75 A 595 W, 3-Pin TO-247
Technische Daten
- Betriebstemperatur max.
- +150 °Cmm
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 75 A
- Diodendurchschlagsspannung
- 1.3V
- Drain-Source-Spannung max.
- 650 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 27,4 mΩ
- Gate-Schwellenspannung max.
- 5V
- Gate-Schwellenspannung min.
- 3V
- Gate-Source Spannung max.
- ±30 V
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 75 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 27,4 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 595 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±30 V
Betriebstemperatur max. = +150 °Cmm
Diodendurchschlagsspannung = 1.3V
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059042322200
