onsemi NTH027N65S3F N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 75 A 595 W, 3-Pin TO-247

Technische Daten

Breite

4.82mm

Channel-Modus

Enhancement

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

75 A

Drain-Source-Spannung max.

650 V

Drain-Source-Widerstand max.

27,4 mΩ

Gate-Schwellenspannung max.

5V

Gate-Schwellenspannung min.

3V

Gate-Source Spannung max.

±30 V

Gehäusegröße

TO-247