onsemi N-Kanal, SMD SiC-Leistungsmodul 1200 V / 304 A, 36-Pin F2

Technische Daten

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

304 A

Drain-Source-Spannung max.

1200 V

Drain-Source-Widerstand max.

0,006 Ω

Gate-Schwellenspannung max.

4.3V

Gehäusegröße

F2

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

36

Transistor-Werkstoff

SiC