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onsemi N-Kanal, SMD SiC-Leistungsmodul 1200 V / 304 A, 36-Pin F2

Marke: onsemi

Hersteller Artikel-Nr.: NXH006P120MNF2PTG

Produkt-Nr.: P-CC2XRT

Technische Daten

Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
304 A
Drain-Source-Spannung max.
1200 V
Drain-Source-Widerstand max.
0,006 Ω
Gate-Schwellenspannung max.
4.3V
Gehäusegröße
F2
Montage-Typ
SMD
Pinanzahl
36
Transistor-Werkstoff
SiC

Produktbeschreibung

The ON Semiconductor power module containing an 1200 V SiC MOSFET half−bridge and a thermistor in an F2 package. It is typically used in solar inverter, UPS, electrical vehicle charging stations and industrial power.Options with pre−applied thermal interface material Options with solderable pins and press−fit pins Pb−free RoHS compliant

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET